氧化鋅廠新發(fā)現，因為N受主和反響施主共摻雜之間的激烈效果，氮和反響施主的共摻雜會下降其在能帶中的受主能級方位。DOS（態(tài)密度）峰向價帶頂的移動暗示著受主能級的下降。和作為受主的Li共摻雜或者和作為活性施主的F共摻雜，能夠制備低電阻率的P型氧化鋅?；钚匝趸\
氧化鋅廠對ZnO中Ga和N溶解度限制的研討標明，比較于N摻雜的ZnO，氮在共摻雜ZnO中的溶解度能夠增強400倍（by a factor of）。運用共摻雜法，Joseph等[463]運用帶有等離子源的PLD體系成功制備了所謂的P型氧化鋅薄膜。關于Ga和N的共摻雜，已然N2O能既能有效按捺氧空位，一起又能引進氮作為受主。Hall 和Seebeck系數測量法驗證了它的P型導電功能，電阻率為0.5Ωcm，載流子濃度為5×1019 cm?3，和很低的載流子遷移率0.07 cm2 /V s。這么低的載流子遷移率讓我們對P型導電性發(fā)生置疑。它也標明在共摻雜技能中，非平衡態(tài)生長進程時必需要低溫。雖然在共摻雜的氧化鋅薄膜中觀察到了P型導電功能，但因為缺少表征，例如共摻雜中Ga和N在禁帶中的施主和受主能級方位，所以P型特征的來歷并不明白。
